渗硅TiAl基合金高温循环氧化动力学分析

• 作者: 候增寿 彭彩霞 梁伟 赵兴国 马晓霞
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: TiAl基合金 抗氧化 表面处理 化学热处理 氧化动力学
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 测试与分析
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TG156.8|TG174.3
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6051.2007.08.017

摘要

用最小二乘法对渗硅TiAl基合金在900、1000、1100和1200 ℃的循环氧化数据进行了拟合.结果表明:渗硅TiAl基合金900 ℃氧化在所测试的118 h内氧化动力学曲线呈抛物线规律;1000 ℃氧化在0～50 h之间呈抛物线型规律,50～118 h之间呈直线型氧化规律;1100 ℃氧化在0～4 h之间呈抛物线型规律,4～8 h之间呈直线型氧化规律,8～16 h呈二次型加速氧化规律,16 h出现剥落现象;1200 ℃循环氧化在0～4 h呈二次型加速氧化规律,4 h后出现剥落现象.相应的氧化速率常数为:900 ℃时Kp≈4.924×10-5 mg2cm-4h-1,1000 ℃时Kp≈7.778×10-5 mg2cm-4h-1,1100 ℃时Kp≈9.392×10-2 mg2cm-4h-1.并对渗硅层在温度超过1000 ℃后的氧化机制进行了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁伟	太原理工大学材料科学与工程学院	191	1217	15.0	28.0
2	赵兴国	太原理工大学材料科学与工程学院	66	358	10.0	15.0
3	马晓霞	太原理工大学材料科学与工程学院	6	33	4.0	5.0
4	彭彩霞	太原理工大学材料科学与工程学院	2	6	1.0	2.0
5	候增寿	太原理工大学材料科学与工程学院	2	6	1.0	2.0