基于3300V 牵引级IGBT的新一代高压变频器

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 高压变频器 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管 牵引 电压控制 半导体厂商 低饱和压降
• 年，卷（期）: bpqsj_2007,（7）
• 页码范围: 107-108
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术，取得巨大的进展。依据电压等级划分，当前国内主要应用的IGBT分为600V（1985年）、1200V（1990年）、