生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 卢洋藩 叶志镇 徐伟中 曾昱嘉 朱丽萍 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO p型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 275-278
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.069

摘要

研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	卢洋藩	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	30	3.0	5.0
5	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
6	徐伟中	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	134	4.0	5.0