InGaN太阳电池转换效率的理论计算

• 作者: 周建军 姬小利 张荣 文博 江若琏 谢自力 郑有炓 陈敦军 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 太阳电池 转换效率 理论计算
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1392-1395
• 页数: 4页
• 分类号: TN366
• 字数: 3480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.012

摘要

根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.