InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究

• 作者: 倪海桥 姬扬 孙宝权 孙征 徐仲英 阮学忠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs亚单层 自旋弛豫 BAP机理
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2958-2961
• 页数: 4页
• 分类号: O3
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.082

摘要

利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐仲英	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
2	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0
3	孙征	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	5	62	3.0	5.0
4	倪海桥	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	8	1.0	1.0
5	姬扬	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	42	12	2.0	2.0
6	阮学忠	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	0	0.0	0.0