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一种高速低功耗多端口寄存器堆的设计
一种高速低功耗多端口寄存器堆的设计
作者:
丛高建
齐家月
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高速
低功耗
多端口
SRAM
寄存器堆
摘要:
通过使用特殊的存储单元,减小工作电流,设计了一种32×32 bit的1写8读9端口寄存器堆,读操作位线和写操作位线都实现了低摆幅,结合使用自复位地址译码电路、门限时钟和优化的时序控制电路等,实现了高速和低功耗的目标,并用SMIC 0.18μm工艺设计了全定制版图.在1.8V工作电压下用Hspice进行版图后仿真结果显示,写入时间为1.7ns,读取时间为1.32ns,时钟频率为500MHz时,9个端口同时工作的最大功耗为70 mW.
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多端口寄存器文件
分体结构
端口共享
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寄存器堆
复用
地址线
功耗
内容分析
文献信息
引文网络
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
一种高速低功耗多端口寄存器堆的设计
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
高速
低功耗
多端口
SRAM
寄存器堆
年,卷(期)
2007,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
614-618
页数
5页
分类号
TN432
字数
2338字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.027
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
丛高建
清华大学微电子学研究所
1
4
1.0
1.0
2
齐家月
清华大学微电子学研究所
5
25
4.0
5.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
高速
低功耗
多端口
SRAM
寄存器堆
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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