前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

• 作者: 冯玉春 彭冬生 牛憨笨
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 前处理 MOCVD GaN薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 241-244
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.060

摘要

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电子学研究所	19	103	7.0	9.0
2	牛憨笨	深圳大学光电子学研究所	71	772	13.0	25.0
3	彭冬生	深圳大学光电子学研究所	11	47	4.0	6.0