不同晶粒尺寸Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3薄膜的直流场介电性能研究

• 作者: 余本芳 吴敏 孙小华 胡宗智 赵兴中
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: BSKT Mg掺杂 溶胶凝胶 介电调谐性能
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1841-1844
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|TB43
• 字数: 3539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.11.028

摘要

采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因.结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵兴中	武汉大学物理科学与技术学院	35	134	6.0	10.0
2	胡宗智	三峡大学机械与材料工程学院	32	304	12.0	16.0
3	孙小华	三峡大学机械与材料工程学院	26	91	5.0	8.0
4	吴敏	三峡大学机械与材料工程学院	15	44	4.0	6.0
5	余本芳	武汉大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0