Cu(In,Ga)Se2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用

• 作者: 冒国兵 刘琪 敖建平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴沉积 ZnS薄膜 CIGS太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 726-730
• 页数: 5页
• 分类号: TK511+.4
• 字数: 3805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.019

摘要

在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ＞500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3.51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冒国兵	安徽工程科技学院机械工程系	30	160	9.0	11.0
2	刘琪	安徽工程科技学院机械工程系	28	151	8.0	11.0
3	敖建平	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	11	98	7.0	9.0