集成电路Cu金属化中的扩散阻挡层

• 作者: 周继承 李幼真 陈海波
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散阻挡层 Cu金属化 热稳定性 薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN10
• 字数: 4486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.05.005

摘要

阐述了集成电路Cu互连中的技术难题,重点讨论了Cu的扩散问题,综述了扩散阻挡层的研究发展进程,重点介绍了当今研究较多的难熔金属、难熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况.研究表明,阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关,其失效机制多为高温下阻档层晶化所产生的晶界为Cu扩散提供了快速通道,掺入Si或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶化温度和良好的阻挡性能正成为研究热点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	陈海波	中南大学物理科学与技术学院	38	261	9.0	16.0
3	李幼真	中南大学物理科学与技术学院	23	128	7.0	10.0