一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制

• 作者: 冯震 商耀辉 张雄文 李亚丽 郭维廉 齐海涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振隧穿二极管 InP 负阻 阻性截止频率
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1945-1948
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.017

摘要

设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
2	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
4	齐海涛	天津大学电子信息工程学院	27	319	10.0	17.0
6	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
7	李亚丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	12	2.0	3.0
10	张雄文	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	1.0	2.0