Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

• 作者: 余金中 周志文 李成 林桂江 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗材料 量子级联激光器 子带跃迁 k·p方法
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4137-4142
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 字数: 2711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.083

摘要

详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGexSi量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.