MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

• 作者: 曾一平 朱战平 李成基 段瑞飞 王宝强 高宏玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MBE 低温缓冲层 MM-HEMT Hall测试
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 200-203
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.049

摘要

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
2	段瑞飞	中国科学院半导体研究所材料中心	8	34	4.0	5.0
3	王宝强	中国科学院半导体研究所材料中心	9	21	2.0	4.0
4	李成基	中国科学院半导体研究所材料中心	5	4	1.0	2.0
5	高宏玲	中国科学院半导体研究所材料中心	2	1	1.0	1.0
6	朱战平	中国科学院半导体研究所材料中心	3	2	1.0	1.0