金属有机化学气相沉积法制备SnO2/MCM-41半导体传感器及其性能研究

• 作者: KAWI Sibudjing 刘秀丽 高国华
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 页码范围: 1609-1612
• 页数: 4页
• 分类号: O614
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2007.09.001

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高国华	上海市绿色化学与化工过程绿色化重点实验室华东师范大学化学系	5	18	3.0	4.0
2	刘秀丽	上海市绿色化学与化工过程绿色化重点实验室华东师范大学化学系	2	19	2.0	2.0