稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律

• 作者: 介万奇 张龙 王泽温 谷智
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Hg0.89Mn0.11Te 腐蚀剂 位错蚀坑 晶界 Te夹杂
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 561-564
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 1914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.144

摘要

以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的圆形晶片.结果表明:腐蚀30s后,可观察到清晰的晶界及Te夹杂.而位错蚀坑密度随着腐蚀时间增长,先是增大,后又开始逐步减少,在60s时达到一个峰值,120s后又处于稳定.位错蚀坑尺寸随着腐蚀时间增长一直是逐步增大的.说明晶片实际的位错蚀坑需要腐蚀120s后才可以观察到.通过化学腐蚀机理分析,对实验结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	张龙	西北工业大学材料学院	17	92	5.0	9.0
3	王泽温	西北工业大学材料学院	6	8	2.0	2.0
4	谷智	西北工业大学材料学院	21	103	5.0	9.0