硅基光子材料和器件的进展

• 作者: 余金中 王启明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 光开关阵列 光电二极管 光互连
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 1-11
• 页数: 11页
• 分类号: TN25
• 字数: 1338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.001

摘要

评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0