微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应

• 作者: 张翔九 杨鸿斌 樊永良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变 位错 分子束外延
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1226-1231
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 4548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.012

摘要

报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张翔九	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	6	16	3.0	4.0
2	樊永良	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	15	3.0	3.0
3	杨鸿斌	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	5	1.0	2.0