SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应

• 作者: 刘书焕 刘红兵 周辉 张伟 朱广宁 李君利 李达 林东生 江新标 王祖军 邵贝贝 郭晓强 陈伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeHBT 辐射效应 反应堆
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 78-83
• 页数: 6页
• 分类号: TN325.2
• 字数: 3312字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.017

摘要

测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256.85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.