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壁面特性对径向三重流MOCVD反应器壁面温度分布的影响
壁面特性对径向三重流MOCVD反应器壁面温度分布的影响
作者:
刘勇
姚寿广
聂宇宏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MOCVD
石英
辐射特性
壁面温度
影响
摘要:
分别采用透明体模型、黑体模型、灰体模型、三谱带漫反射模型、三谱带镜反射模型和二谱带模型对石英壁面的辐射特性进行模拟,并结合求解辐射传递方程的谱带区域法模型,计算了不同壁面特性下径向三重流MOCVD反应器的壁面温度分布.结果表明,不同的壁面特性模型对MOCVD壁面温度的分布有较大影响,其中壁面发射率的影响最大,而透射率的影响较小;在反应器的不同部位,壁面特性模型对温度分布影响的规律不同.
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文献信息
篇名
壁面特性对径向三重流MOCVD反应器壁面温度分布的影响
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
MOCVD
石英
辐射特性
壁面温度
影响
年,卷(期)
2007,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
913-917
页数
5页
分类号
TN304.054
字数
3132字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
聂宇宏
江苏科技大学机械与动力工程学院
39
216
8.0
11.0
2
姚寿广
江苏科技大学机械与动力工程学院
88
523
13.0
19.0
3
刘勇
江苏科技大学机械与动力工程学院
11
59
4.0
7.0
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD
石英
辐射特性
壁面温度
影响
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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