SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制

• 作者: 冉军学 唐健 李建平 李晋闽 王占国 王晓亮 王翠梅 罗卫军 肖红领 胡国新 马志勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 402-406
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.103

摘要

用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.