GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

• 作者: 吕小红 孙文荣 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CaSb InAs 单晶 晶格缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 163-166
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.039

摘要

通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	吕小红	中国科学院半导体研究所	3	8	1.0	2.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	孙文荣	中国科学院半导体研究所	7	36	4.0	6.0