PLD方法制备CaCu3Ti4O12薄膜结构研究

• 作者: 张鹰 接文静 朱俊 李言荣 罗文博 艾万勇 魏贤华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CCTO薄膜 PLD 取向生长 RHEED
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 345-347
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.03.003

摘要

采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜.在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现 (400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长.原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰.后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状.在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长.