高阻GaN薄膜电阻率测量

• 作者: 冉军学 方测宝 曾一平 李成基 李晋闽 杨翠柏 王晓亮 王翠梅 罗卫军 肖红领
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高阻GaN 电阻率 测量
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 536-540
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.137

摘要

建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.