溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

• 作者: 冯林永 宋超 杨宇 杨瑞东 王国宁 邓荣斌 陈寒娴
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 Ge薄膜 Ar+能量 结晶性
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 931-933
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.06.022

摘要

采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	陈寒娴	云南大学材料科学与工程系	5	11	2.0	3.0
3	邓荣斌	云南大学材料科学与工程系	6	19	3.0	4.0
4	杨瑞东	云南大学材料科学与工程系	6	9	2.0	2.0
5	宋超	云南大学材料科学与工程系	5	15	2.0	3.0
6	冯林永	云南大学材料科学与工程系	2	5	1.0	2.0
7	王国宁	云南大学材料科学与工程系	2	8	2.0	2.0