RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

• 作者: 刘军 孙玲玲 文进才
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 累积型MOS变容管 射频模型 方程 连续 可导
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1448-1453
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.024

摘要

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.