直流反应磁控溅射WO3薄膜气敏特性研究

• 作者: 冯有才 尹英哲 胡明 陈鹏
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: WO3薄膜 氨敏传感器 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 760-762
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2|TN304.055
• 字数: 1997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2007.04.010

摘要

用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50 nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40 nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×10-5 NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈鹏	天津大学电子信息工程学院	33	223	8.0	13.0
2	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
3	冯有才	天津大学电子信息工程学院	8	46	4.0	6.0
4	尹英哲	天津大学电子信息工程学院	8	46	4.0	6.0