亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响

• 作者: 林巧明 梁庭 沈光地 郭晶 郭霞 顾晓玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 键合 亲疏水处理 GaAs/GaN 透过率
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1092-1096
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.96
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.018

摘要

采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	梁庭	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	10	80	5.0	8.0
4	顾晓玲	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	12	126	7.0	11.0
5	林巧明	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	5	53	3.0	5.0
6	郭晶	北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室	7	70	5.0	7.0