脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟

• 作者: 刘悦 吴东江 许媛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 脉冲激光烧蚀 等离子体 晶体锗
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1561-1566
• 页数: 6页
• 分类号: O411.3|TN249
• 字数: 4812字
• 语种: 中文

摘要

针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型.对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108 W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟.结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波, 波前的速度最大,温度很高.从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉冲作用时间内,Ge的2阶电离率比1阶电离率大,脉冲结束后,Ge的2阶电离率下降,1阶电离率逐渐变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴东江		63	533	14.0	20.0
3	许媛		18	35	3.0	5.0
9	刘悦		1	10	1.0	1.0