中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响

• 作者: 孟祥提 康爱国 黄强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 彩色CMOS图像传感器 中子辐照 γ射线辐照 输出特性 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 583-587
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.150

摘要

对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图像上出现许多大而密的斑点和条纹,图像上有很多白点和白点串;经过长时间室温退火后的图像质量没有明显改善.文章初步探讨了CMOS图像传感器的辐照损伤机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄强	清华大学核能与新能源技术研究院	12	69	6.0	8.0
2	孟祥提	清华大学核能与新能源技术研究院	6	52	4.0	6.0
3	康爱国	清华大学核能与新能源技术研究院	4	32	3.0	4.0