喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化

• 作者: 杨云柯 符松 陈海昕 高立华
• 来源期刊: 工程力学
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 MOCVD 计算流体力学 数值仿真 优化设计
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 其他工程学科
• 页码范围: 173-178
• 页数: 6页
• 分类号: O35
• 字数: 3886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4750.2007.09.027

摘要

利用计算流体力学(CFD)方法对某型立式喷淋式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室流场进行了三维数值仿真,研究了影响MOCVD反应室流场结构的各工作参数(流量、温度、压力)的作用机制,并对试制中的MOCVD设备的几何结构及进气方式进行了改进,采用了圆弧形过渡拐角及泊肃叶型入口速度剖面,以形成稳定均匀的流场,从而保证氮化镓(GaN)的生长质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符松	清华大学航天航空学院	84	740	14.0	24.0
2	陈海昕	清华大学航天航空学院	39	279	9.0	14.0
3	杨云柯	清华大学航天航空学院	2	25	2.0	2.0
4	高立华	清华大学航天航空学院	3	30	2.0	3.0