两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

• 作者: 孙晓玮 徐安怀 林玲 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 426-429
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 1943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.109

摘要

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	97	828	16.0	23.0
2	林玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	16	132	6.0	11.0
6	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	34	145	8.0	9.0
7	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	94	7.0	8.0