溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 王青 舒斌 黄大鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶 铋锌铌薄膜 金属-绝缘层-半导体结构 电容-电压曲线
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1406-1410
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.015

摘要

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
3	舒斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	109	8.0	10.0
4	黄大鹏	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	6	2.0	2.0
5	王青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	4	2.0	2.0