Si3N4的晶体化和ZrN/Si3N4纳米多层膜的超硬效应

• 作者: 岳建岭 李戈扬 董云杉 赵文济
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZrN/Si3N4纳米多层膜 外延生长 赝晶体 超硬效应
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 459-464
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.075

摘要

研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响.一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备.利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应.Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董云杉	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	16	108	6.0	9.0
2	李戈扬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	109	1036	18.0	25.0
3	岳建岭	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	4	30	4.0	4.0
4	赵文济	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	10	86	6.0	9.0