一种粒子探测器的CMOS读出电路设计

• 作者: 吉利久 张雅聪 赵宝瑛 陈中建 鲁文高
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷灵敏放大器 整形器 读出电路 噪声优化
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 182-188
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 字数: 1959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.008

摘要

提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达150pF时,输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个,代价是输出摆幅减小了0.5V.在整形器中,MOS管电阻与多晶硅电阻串联,通过调节MOS管的栅压来改变阻值,以补偿工艺的偏差,在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉利久	北京大学微电子研究院	47	298	11.0	15.0
2	鲁文高	北京大学微电子研究院	17	80	5.0	8.0
3	陈中建	北京大学微电子研究院	22	104	6.0	9.0
4	赵宝瑛	北京大学微电子研究院	13	80	5.0	8.0
5	张雅聪	北京大学微电子研究院	6	22	2.0	4.0