带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准

• 作者: 张强 李攀 王进军 田泽 陈贵灿
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 带隙基准 低噪声 电源抑制比 软启动电路 快速启动电路
• 年，卷（期）: 2007,（20）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 150-153
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.20.051

摘要

提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源.RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路.采用UMC 0.6 μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB.此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70 μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵灿	西安交通大学微电子研究所	35	264	9.0	14.0
2	王进军	西北大学信息学院	8	44	5.0	6.0
3	田泽	西北大学信息学院	28	261	10.0	15.0
4	张强	西北大学信息学院	19	85	6.0	8.0
5	李攀	西北大学信息学院	7	49	5.0	7.0