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摘要:
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
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文献信息
篇名 AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 388-390
页数 3页 分类号 TN304
字数 1443字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.099
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研究主题发展历程
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AlGaN/AlN/GaN异质结
肖特基二极管
势垒高度
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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