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AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
作者:
冉军学
冯春
曾一平
李晋闽
杨翠柏
王保柱
王新华
王晓亮
王翠梅
罗卫军
肖红领
胡国新
马志勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AlGaN/AlN/GaN异质结
肖特基二极管
势垒高度
摘要:
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.
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文献信息
篇名
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
AlGaN/AlN/GaN异质结
肖特基二极管
势垒高度
年,卷(期)
2007,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
388-390
页数
3页
分类号
TN304
字数
1443字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.099
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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肖特基二极管
势垒高度
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研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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