粘着力对化学机械抛光芯片分子去除机理影响的数学模型

• 作者: 王永光 赵永武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 粘着力 分子去除机理 模型
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2018-2022
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.031

摘要

基于芯片/磨粒/抛光垫的微观接触力平衡关系,建立了考虑抛光垫/磨粒大变形和粘着力效应的微观接触模型.模型预测结果表明:对于Cu和SiO2芯片而言,粘着力对磨粒所受外力具有重要影响作用;考虑粘着力的情况下,单个磨粒压入芯片的深度比未考虑粘着效应时,最大为原来的2倍和4倍.然而,即使考虑粘着效应时,磨粒压入芯片的深度仍然在分子量级.因此,认为CMP材料的去除机理为单分子层去除机理.为深入研究CMP材料原子/分子去除机理提供了一定的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永武	江南大学机械工程学院	117	687	12.0	21.0
2	王永光	江南大学机械工程学院	26	137	6.0	10.0