基于BOE硅腐蚀现象的硅纳米线制作

• 作者: 李铁 王慧泉 王跃林 郑阳明 金仲和 马慧莲
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 选择性腐蚀 BOE溶液 pn结
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 2187-2190
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2007.10.010

摘要

介绍一种硅纳米线制作方法.在SOI顶层硅上制作硅纳米梁,通过离子注入形成pnp结构,利用新发现的没有特殊光照时BOE溶液腐蚀pn结n型区域现象,结合BOE溶液氧化硅腐蚀,实现硅纳米线制作.制作完全采用传统MEMS工艺,具有工艺简单,成本低,可控,可靠性好,可批量制作等优点.利用该方法制作出了厚50 nm,宽100 nm的单晶硅纳米线,制作的纳米线可用于一维纳米结构电学性能研究、谐振器研究等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金仲和	浙江大学信息科学与电子工程学系	144	1047	18.0	25.0
2	马慧莲	浙江大学信息科学与电子工程学系	57	569	13.0	21.0
3	王跃林	浙江大学信息科学与电子工程学系	39	434	11.0	19.0
4	王慧泉	浙江大学信息科学与电子工程学系	15	87	4.0	9.0
5	郑阳明	浙江大学信息科学与电子工程学系	22	184	8.0	12.0
6	李铁		4	20	3.0	4.0