基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器

• 作者: 刘婵 叶芸 吴雯 张凯 胡光 顾豪爽
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 氮化铝 择优取向 空腔
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 591-594
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.152

摘要

以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡光	湖北大学物理学与电子技术学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室	5	55	3.0	5.0
2	张凯	湖北大学物理学与电子技术学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室	8	60	3.0	7.0
3	叶芸	湖北大学物理学与电子技术学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室	3	30	2.0	3.0
4	吴雯	湖北大学物理学与电子技术学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室	8	43	3.0	6.0
5	刘婵	湖北大学物理学与电子技术学院湖北省铁电压电材料与器件重点实验室	4	33	3.0	4.0