硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析

• 作者: 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜 硅基异质结二极管 FN隧道导电机制
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 369-371
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.093

摘要

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子研究所	52	102	5.0	7.0