砷化镓二极管在单相功率因数校正中的应用

• 作者: 何湘宁 邓焰 陈首先
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率因数 二极管 电磁兼容性
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: TM714.3|TN31/387
• 字数: 2846字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2007.12.026

摘要

提出了采用砷化镓(GaAs)肖特基二极管(SD)作为CCM Boost型APFC的续流二极管(Flywheel Diode,简称FD),以改善变换器性能.制作了采用GaAs肖特基二极管(简称GaAs-SD)和Si快恢复二极管(Si Fast Recovery Diode,简称Si-FRD)的样机,并对其反向恢复电流、效率、功率因数(PF)和EMI等特性进行了对照测试.结果表明,GaAs-SD能有效改善变换器的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何湘宁		268	5015	35.0	64.0
2	邓焰		83	1160	20.0	32.0
3	陈首先		1	1	1.0	1.0