ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性

• 作者: 傅劲裕 凌志聪 朱剑豪 梅永丰 萧季驹 陈旭东 顾启琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PIII&D ZnO/p-Si异质结 Anderson模型 空间电荷限制模型 电流输运
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 2082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.035

摘要

采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	萧季驹	香港城市大学物理与材料科学系	7	23	1.0	4.0
2	陈旭东	香港大学物理系	2	1	1.0	1.0
3	凌志聪	香港大学物理系	2	1	1.0	1.0
4	朱剑豪	香港城市大学物理与材料科学系	24	387	9.0	19.0
5	顾启琳	香港大学物理系	1	1	1.0	1.0
6	梅永丰	香港城市大学物理与材料科学系	1	1	1.0	1.0
7	傅劲裕	香港城市大学物理与材料科学系	1	1	1.0	1.0