ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性

• 作者: 代由勇 何欢 吴爱民 姜辛 徐茵 王叶安 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ECR-PEMOCVD 稀磁半导体 GaMnN 室温铁磁性 居里温度
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1053-1057
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.010

摘要

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.