p型重掺杂应变Si1-xGex基区内建电场的物理机制

• 作者: 吴靓臻 唐吉玉 孔蕴婷 文于华 赵传阵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗合金 内建电场 三角形Ge分布 矩形三角形Ge分布 高斯分布
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 873-877
• 页数: 5页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 3239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.011

摘要

采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院	39	90	5.0	7.0
2	赵传阵	华南师范大学物理与电信工程学院	4	5	2.0	2.0
3	文于华	华南师范大学物理与电信工程学院	8	25	3.0	4.0
4	吴靓臻	华南师范大学物理与电信工程学院	5	20	2.0	4.0
5	孔蕴婷	华南师范大学物理与电信工程学院	5	20	2.0	4.0