蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

• 作者: 冉军学 张小宾 李建平 李晋闽 杨翠柏 王晓亮 王翠梅 肖红领 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铟 MOCVD 半峰宽 迁移率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 260-262
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.065

摘要

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).