m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性

• 作者: 修向前 刘成祥 刘斌 周圣明 张荣 施毅 朱顺明 李亮 江若琏 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD m面 非极化 GaN
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 249-252
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.062

摘要

用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.