立方相ZnMgO的电学特性

• 作者: 余萍 劳燕锋 吴惠桢 徐天宁 梁军 金国芬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: C-ZnMgO薄膜 MIS结构 介电常数 漏电性能
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 167-170
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.040

摘要

在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.