温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制

• 作者: 刘玉岭 檀柏梅 牛新环 王胜利
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 动力学过程 控制过程 硅衬底 去除速率 抛光温度
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.014

摘要

对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的化学过程为CMP控制过程,对影响化学反应的关键因素进行了有效的优化,实现了多材料CMP速率的突破性提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学信息工程学院微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学信息工程学院微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	王胜利	河北工业大学信息工程学院微电子研究所	26	107	6.0	8.0
4	牛新环	河北工业大学信息工程学院微电子研究所	69	406	10.0	17.0