高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

• 作者: 冯倩 杨燕 郝跃 郭亮良
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: A1GaN/GaN HEMT 场板 击穿电压
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2895-2899
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.071

摘要

就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V提高到了142 V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	郭亮良	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	29	3.0	4.0