衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

• 作者: 任慧志 孙建 张德坤 耿新华 薛俊明 赵颖 陈新亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1563-1567
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.054

摘要

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从"类金字塔"状的绒面结构演化为"岩石"状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm2/V·s 的高迁移率和3.28×10-2 Ω·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.